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IRFR/U5505
1200
1000
V GS
C iss
C rss
C oss
= 0V,   f = 1MHz
= C gs + C gd , C ds SHORTED
= C gd
= C ds + C gd
20
16
I D = -9.6A
V DS = -44V
V DS = -28V
800
600
400
200
Ciss
Coss
Crss
12
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30
40
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 ° C
10
1
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
T J = 150 C
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
V GS = 0 V
1.8      2.2
1
1
T C = 25 °C
°
Single Pulse
10
10ms
100
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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